• 独立存储器(I²C/SPI/并行接口产品)
• 适用于RFID的LSI
• 认证IC
• FRAM 微控制器

　　FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体提供了采用串行（I²C和SPI）和并行外设的FRAM产品，目前4Kb至4Mb的产品也已量产。

与SRAM相比
独立的FRAM存储器，因为具有Pseudo-SRAM I/F，因此与SRAM之间具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以获得的优势如下：
1. 总的成要缩减
采用SRAM，你需要检测其电池状态。但是FRAM却让你免去了进行电池检测的困扰。而且，FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间，而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案可以节省空间和成本。
● 维护自由；无需更换电池
● 缩小的器件尺寸；可以省去大量的器件
2. 环保型产品（减少了环境负担）
用过的电池成为工业废料。在生产过程中，与SRAM相比，FRAM能够降低一半的CO₂排放量。FRAM对于环保有益。
● 无废弃电池
● 降低工业负荷，实现环保
与E²PROM/闪存相比
与传统的非易失性存储器，如E²PROM和闪存相比，FRAM具有更快的写入、更高耐久力和更低功耗等优势。用FRAM取代E²PROM和闪存还具有更多优势，具体如下：
1. 性能提升
FRAM的高速写入能够在电源中断的瞬间备份数据。不仅如此，与E²PROM和闪存相比，FRAM能够更频繁的记录数据。当写入数据时，E²PROM和闪存需要高压，因此，消费的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
总之，FRAM具有下列优势：
● 能够在电源中断的瞬间备份数据
● 能够进行频繁的数据记录
● 能够保证更长的电池寿命
2. 总的成本缩减
在为每个产品写入出厂参数时，与E²PROM 和闪存相比，FRAM可以缩减写入时间。而且，FRAM可以为您提供一种芯片解决方案，避免采用几个存储器来保存数据，而E²PROM却不能实现。因此，利用FRAM可以降低总成本！
● 当写入出厂参数时，缩短了写入时间
● 减掉了产品上很多的部件

串行闪存
I²C接口
与世界标准，I²C BUS完全兼容。利用两个端口，几个时钟（SCL）和串行数据（SDA）控制每个函数。 SPI接口
在25MHz（最大值）频率下，实现了最大时钟性能速度。 并行存储器
可以像SRAM一样采用并行读取和写入。不需要利用任何电池来保存数据。

未来我们还将通过技术来发来提高一些技术规格，如工作电压和存取速度，并提供多种产品。富士通半导体能够利用其它公司不能提供的富士通独有技术，提供广泛的单独FRAM产品。
4Kb至4Mb产品现已投入量产。