北京北方科讯电子技术有限公司

FRAM（铁电存储器）具有像E²PROM一样的非易失性的优势，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有两个产品系列，串行接口（I²C，SPI）和并行接口产品。采用串行I/F的FRAM可以用E²PROM或串行闪存来代替，而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。
富士通半导体集团控制着FRAM的整个生产程序；在日本的芯片开发和量产及组装程序。富士通公司保证了FRAM产品的高质量和稳定供应。自从1999年开始，FRAM产品已经连续供应12年以上，并且正在为许多客户提供所需的高可靠性。

● 当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）
● 即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。
● 两个稳定的状态以"0"或"1"的形式存储

与传统存储器相比，FRAM具有下列优势：
非易失性
● 即使没有上电，也可以保存所存储的信息。
● 与SRAM相比，无需后备电池（环保产品）
更高速度写入
● 像SRAM一样，可覆盖写入
● 不要求改写命令
● 对于擦/写操作，无等待时间
● 写入循环时间 =读取循环时间
● 写入时间： E²PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
● 确保最大10¹²次循环（100万亿循环）/位的耐久力
● 耐久性：超过100万次的 E²PROM
具有更低的功耗
● 不要求采用充电泵电路
● 功耗：低于1/400的E²PROM
表1. FRAM和其它器件间规格差异的比较表
表1. 与其它存储器产品相比，FRAM的特性

	FRAM	E2PROM	Flash	SRAM
存储器类别	非易失性	非易失性	非易失性	非易失性
*晶胞结构¹**	1T1C/2T2C	2T	1T	6T
数据改写方法	覆盖写入	擦除+写入	扇面擦除+写入	覆盖写入
写入循环时间	150ns^*2	5ms	10μs	55ns
耐久力	最大 10¹²（1万亿次循环^3）^2	10⁶（100万次循环）	10⁵（10万次循环）	无限制
写入操作电流	5mA（典型值）^2 15mA（最大值）^2	5mA（最大值）	20mA（最大值）	8mA（典型值）
待机电流	5μA（典型值）^2 50μA（最大值）^2	2μA（最大值）	100μA（最大值）	0.7μA（典型值） 3μA（最大值）

独立存储器（I2C/SPI/并行接口产品）
富士通半导体提供了独立的存储器，它具有FRAM的优势，包括非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。你可以将其用于各种应用，如移动装置，OA设备，数字电器和银行终端等。